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廣東省華南檢測技術有限公司
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| 金屬材料及零部件失效分析 | 電子元器件失效分析 | |
| 涂/鍍層失效分析 |
電子元器件失效分析
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廣東省華南檢測技術有限公司針對電阻、電容、二極管、三極管、LED、連接器、IC等器件開路、短路、燒毀、漏電、功能失效、電參數不合格、非穩定失效等各種失效問題，利用物理和化學的分析手段，從宏觀和微觀分析出失效原因，并為客戶提出改善方向。
電子元器件主要失效模式（但不限于）
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開路、短路、燒毀、漏電、功能失效、電參數漂移、非穩定失效等。
國家認可資質背書
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華南檢測專注電子元器件失效分析與故障歸零領域十余年，擁有國家認可CNAS/CMA認證實驗室，匯聚擁有10+年經驗專家團隊，累計完成超1000+案例。依托高精度檢測設備與全流程技術方案，精準定位失效根源，助力企業快速止損，保障產品可靠性！
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CNAS/CMA雙認證實驗室，報告全國認可，助您提升品牌口碑
出具權威檢測報告，明確責任歸屬，減少糾紛成本。 |
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72小時完成檢測，加急服務至快24小時出具初報告
48小時內定位失效點，提供根因報告+改進方案，快速止損。 |
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10+年經驗工程師團隊，配備SEM/EDS/X-Ray等千萬高端設備，準確率99%
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檢測項目
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●形貌分析：體視顯微鏡、?相顯微鏡、X 射線透視、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束；
●成分檢測：X 射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質譜SIMS、光譜、色譜、質譜；
●電分析：I-V曲線、半導體參數、LCR 參數、集成電路參數、頻譜分析、ESD參數、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性；
●開封制樣：化學開封、機械開封、等離子刻蝕、反應離子刻蝕、化學腐蝕、切片、IC 取芯片、芯片去層、襯底檢查、掃描電鏡檢查、DB FIB；
●缺陷定位：液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發射顯微像、OBIRCH、 PN 結染?、熱點檢測、漏電位置檢測、彈坑檢測。
檢測標準
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●GJB33A-1997半導體分立器件總規范
●GJB65B-1999有可靠性指標的電磁繼電器總規范
●GJB450A裝備可靠性工作通用要求
●GJB536B-2011電子元器件質量保證大綱
●GJB548B-2005微電子器件試驗方法和程序
●GJB597A-1996半導體集成電路總規范
●GJB841故障報告、分析和糾正系統
●QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
失效分析流程
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（1）失效背景調查：產品失效現象？失效環境？失效階段（設計調試、中試、早期失效、中期失效等等）？失效比例？失效歷史數據？
（2）非破壞分析：X射線透視檢查、超聲掃描檢查、電性能測試、形貌檢查、局部成分分析等。
（3）破壞性分析：開封檢查、剖面分析、探針測試、聚焦離子束分析、熱性能測試、體成分測試、機械性能測試等。
（4）使用條件分析：結構分析、力學分析、熱學分析、環境條件、約束條件等綜合分析。
（5）模擬驗證實驗：根據分析所得失效機理設計模擬實驗，對失效機理進行驗證。
注：失效發生時的現場和樣品務必進行細致保護，避免力、熱、電等方面因素的二次傷害。
測試須知——————————————————————————————————————————————————————————— 1、產品的結構及工藝特點【外引線排列圖、內部線路原理圖】
2、樣品的主要參數指標【產品輸入、輸出關鍵參數】
3、NG 樣品至少2pcs (未取下的PCBA 狀態)，OK樣品1pcs,并需附帶測試時需要的連接器或配套組件(復現及電測需要);
4、失效信息收集：【失效現象、失效環境、異常電條件、失效階段（設計調試、中試、早期失效、中期失效等等）、失效比例、失效歷史數據、操作因素等】
元器件失效分析流程———————————————————————————————————————————————————————————
元器件失效分析常用檢測項目——————————————————————————————————————————————————————————
1、外觀檢測
2、壓降檢測
3、X-RAY檢測
4、超聲波掃描
5、芯片開封
6、掃描電子顯微鏡檢測
7、電性能測試
8、FTIR紅外光譜分析
9、熱點定位和FIB制樣技術
分析過的電子元器件種類
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1、電阻器、電容器、電感器、連接器、繼電器、變壓等原件，
2、二極管、三極管、MOS、可控硅、橋堆、IGBT等半導體分立器件，
3、各種規模、各種封裝形式的集成電路，
4、射頻、微波器件，電源模塊、光電模塊等各種元器件和模塊
5、集成電路、場效應管、二極管、發光二極管、三極管、晶閘管、電阻、電容、電感、繼電器、連接器、光耦、晶振等各種有源/無源器件
